美国Cree拟于2009年开始供应SiC底板
2007-10-20
作者：
来源：日经BP社
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摘要： 美国Cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口径的SiC底板。
美国Cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口径的SiC底板。
据该公司称，SiC底板单位面积的初期成本方面，通过从100mm向150mm过渡，大约可以削减20～25%。(记者：大下 淳一)
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