QinetiQ订购MOCVD生产氮化物功率器件
摘要： 2007年11月27日，QinetiQ向AIXTRON订购一台 6x2英寸CCS MOCVD设备用于开发高性能应用的GaN器件，新MOCVD设备将安装于Qineti在英国QMalvern的微纳米技术实验室中，这一实验室现有的外延生长设备中还包括一台3x2英寸的CCS MOCVD。
2007年11月27日，QinetiQ向AIXTRON订购一台 6x2英寸CCS MOCVD设备用于开发高性能应用的GaN器件，新MOCVD设备将安装于Qineti在英国QMalvern的微纳米技术实验室中，这一实验室现有的外延生长设备中还包括一台3x2英寸的CCS MOCVD。
QinetiQ称与AIXTRON保持着长期、友好的关系，新型更大产量的反应室是其氮化物器件新开发计划的最好工具，使QinetiQ可向国际客户进行外延片样品的小批供应。AIXTRON新反应室拥有最小化的停工期，以及良好的批次间(run-to-run)、晶圆间(wafer-to-wafer)再现性和一致性，QinetiQ对AIXTRON的MOCVD设备有很大的信心。这一反应室最初将用于支持由英国商业、企业与制度改革部(BERR)资助的一个项目，探索固态照明用低成本LED的方法。尽管GaN外延材料面向的市场是LED、激光二极管等光电子器件，其在微波电子器件市场拥有巨大的潜力。正有越来越多的研究院所和公司在研究如何将基于氮化物的功率器件商业化。
注： QinetiQ 在大范围光学及电子技术领域(包括化合物半导体器件)方面拥有先进的专业知识。 QinetiQ在使用制备复合薄膜上拥有不易攻破的记录，并在三五族材料生长和器件处理上拥有专业经验。（编辑：PCL）
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