[简讯] 青岛杰生建成大陆首条波长280nm深紫外LED生产线并量产
摘要: 近日,青岛杰生电气有限公司建成了中国大陆首条波长280纳米的深紫外LED生产线,并在大陆首次实现商业化量产。
杭州远方光电信息股份有限公司对该产品进行了产品检测,青岛杰生电气生产的波长280纳米的深紫外LED,在 20毫安连续直流电流下,发光强度超过2.0毫瓦,外量子效率大于2.5%;目前用它制成的深紫外LED模组标定输出功率超过32毫瓦。
青岛杰生电气有限公司成立于2001年,致力于氮化镓基金属有机物化学气相沉积设备(GaN- MOCVD)的研发,取得了MOCVD设备制造技术、高质量GaN外延材料制备技术、高性能p型GaN材料制备技术、高质量InGaN/GaN多量子阱制备技术、高亮度GaN蓝光、紫光以及紫外光LED外延片制备技术、高Al组分AlGaN材料制备技术和深紫外LED制造技术等关键技术突破。
青岛杰生背景:
杰生的官方网站(www.qdjason.com)这样写着:
青岛杰生电气有限公司成立于2001年 ,是由留学回国人员创办的高新技术企业,坐落于青岛高新技术产业开发区。
公司拥有一支本领域高尖端人才队伍,专门从事氮化镓外延生长的“金属有机物气相淀积法”设备(简称: MOCVD SYSTEM)的研制开发和生产,是国内目前唯一的GaN-MOCVD设备生产制造厂家。
公司自成立以来,已先后研制开发出了具有国际先进水平的2英寸单片和2英寸3片的氮化镓基外延材料生长设备,该设备已成功投入使用,在蓝宝石Sapphire晶片和 碳化硅SiC 晶片生长出各种结构的GaN基材料。
公司以研发和生产高质量GaN-MOCVD SYSTEM为起点,开发具有完全自主知识产权、高技术含量、高附加值的从研究型到生产型MOCVD SYSTEM,该系列成果经专家鉴定已达到目前同类技术和产品的国际先进水平,并已获得国家发明专利。目前正在研制的“GaN-MOCVD深紫外LED材料生长设备”项目已获得“十一五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料领域“半导体照明工程”重大项目课题支持。
本文链接地址:http://www.ledth.com/news/20101221/n92813271.html
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