乾照光电7日晚间公告，公司拟出资15.97亿元，建设VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目。

　　根据公告，该项目总投资约15.97亿元，其中银行贷款8.51亿元，其余资金由公司自筹出资。该项目预计2018年启动，2021年建成投产，2022年实现满产运行，项目建设内容主要为主生产厂房、污水处理站、氢气站、氮气站、化学品 库、宿舍、其他仓库等。项目资金运用上，建设投资11.96亿元，建设期利息3024.99万元，流动资金3.70亿元。

　　项目投产后，预测达产后年销售收入9.66亿元，达产年利润总额2.37亿元，达产年投资利润率17.71%，投资利税率18.63%，全部投资所得税后财务内部收益率为21.72%;投资回收期6.01年。

　　资料显示，VCSEL是以砷化镓半导体材料为基础研制，是一种半导体激光器。2017年VCSEL全球市场规模大概在1.5亿美元左右。2019年，应用于智能手机的VCSEL芯片出货量预计将增长至2.4亿颗，全球VCSEL市场的复合年增长率(CAGR)可达17.3%，市场规模到2022年或将增长至200亿人民币。目前安卓手机阵营中没有应用国产化的VCSEL芯片。VCSEL外延片芯片的关键技术主要为国际少数几家大公司所垄断，也是国内激光芯片产业中较为薄弱的环节。

　　公司方面表示，砷化镓/氮化镓半导体器件主要依附于MOCVD进行外延生产，技术含量高;在军用和民用无线通讯等领域需求旺盛，而相关国内厂商稀缺，国家正大力支持该行业的迅速发展。公司凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，通过本项目的建设，将有助于公司在其他市场领域的突破，对公司的战略发展具有重要意义。

　　另外，项目建成达产后，有利于推动高端可见光半导体LED芯片的国产化进程，降低终端应用产品的生产成本，促进产业健康发展，完善我国自主的LED产业链，提升我国半导体产业的国际竞争力。