巨量转移是Micro LED显示屏幕技术中最大的技术瓶颈之一。业界目前正如火如荼地发展相关技术，希望能尽快突破阻碍，推动Micro LED的商业化。在此次的Micro LED前瞻技术征文比赛中，巨量转移技术也是许多参赛文章的关注重点。

　　其中由柯全先生Thomas Q. Ke的研究论文提出无需巨量转移的Micro LED量产方式。该论文指出，借由重新设计Micro LED的制造过程并运用现有技术，就能有效率避开耗时费工的巨量转移制程。论文提出的方法是，将Micro LED保留在磊晶基板上，移除3/4的Micro LED晶圆，用PI填平开孔，再在驱动电路制作于保留下来的1/4 LED旁。透过此方法，不需要巨量转移制程也能制作出RGB Micro LED显示屏幕。

　　参与此次论文征集的评审指出，将驱动电路整合在Micro LED晶圆片上的技术方法，与Lumiode, eMagin, NthDegree,OSRAM等公司的技术类似。除了制程跟材料以外，此论文提出的方案跟其他技术最大的差异在于舍弃了3/4的LED晶圆材料，并由多出来的空间来换取RGB交错排列跟驱动电路的摆放位置。

　　为了要节省巨量转移可能造成的大量成本跟时间，此篇研究论文选择用材料的成本交换。这样的技术取向在巨量转移技术尚未发产成熟前，或许能够在量产上取得优势。然而，一旦巨量转移的技术改善且成本逐渐降低，降到低于材料成本的四倍时，此方法便不再具有优势。

　　原文：https://p.ledinside.com/led/2018-11/1541671675_81078.pdf