真明丽推出大功率LED—陶瓷覆晶系列XB35 XB50
摘要： 随着LED照明进入市场，高功率LED的散热问题越来越受到重视，因为过高的温度会导致LED发光效率降低，并且会影响产品的生命周期、发光效率、稳定性，甚至对LED的寿命造成致命性的影响。而研究表明陶瓷基板线路对位精确度高，并且陶瓷基板具有与晶片有着接近的热膨胀系数与高耐热能力，有效的解决了热歪斜与高温制程。
功率型LED工作时产生的热量会使晶片温度升高。如果LED的散热问题处理不好，就有可能使晶片温度升高到超过所允许的最高结温，从而导致LED的性能退化或失效。
大功率LED封装由于结构和工艺复杂，并直接影响到LED的使用性能和寿命，一直是近年来的研究热点。
LED散热途径
不同的封装方式与技术，其散热方法有所不同，而LED各种散热途径方法如图一所示：
散热途径说明：
① 从空气中散热;
② 热量直接由System circuit board导出;
③ 经由金线将热量导出;
④ 若为共晶及Flip chip制程，热量将经由芯片至基板导出。
然而，现阶段的散热瓶颈，多数发生在将热量从LED晶片传导至其基板再到系统电路板为主。此部分的可能散热途径：
其一为直接由晶片基板传导至系统电路板(如图一途径②所示)，在此散热途径里，其LED晶片基板材料的热散能力是很重要的参数。
其二，LED所产生的热也会经由电极金属导线至系统电路板，一般而言，利用金线方式做电极Bond下，散热受金属线本身较细长的几何形状而受限(如图一途径③所示);因此，开发共晶 (Eutectic) 或覆晶(Flip chip)接合方式将大幅减少导线长度，并大幅增加导线截面积，如此一来，由LED电极导线至系统电路板的散热效率将有效提升(如图一途径④所示)。
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