2012，衬底也疯狂
摘要： 硅衬底取得突破性进展，SiC衬底芯片光效快速提升，而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012，衬底也疯狂。新世纪LED网评测室特对LED衬底2012年三雄逐鹿天下的历程进行盘点，以供参考。
2012年12月15日，东芝宣布其硅基白光LED开始量产；随后，Cree在同月18日也发布消息称，其基于SC³技术的LED芯片产品XLamp MK-R LED实现量产，光效为200lm/w，树立业界全新里程碑；而一直居于LED衬底主流地位的蓝宝石，价格早已降至10美元/片，并且已出现产能过剩隐忧。硅衬底取得突破性进展，SiC衬底芯片光效快速提升，而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012，衬底也疯狂。以下为新世纪LED网评测室对LED衬底2012年三雄逐鹿天下的历程进行的盘点，以供参考。
硅衬底
可使芯片的制造成本降低70%
硅晶圆基板芯片与传统材料芯片相比具有明显优点。硅在半导体行业应用广泛，可以满足较大的晶圆直径生产要求，同时硅材料具有更好的热特性和较低廉的价格，因此硅晶圆基板芯片将成为未来LED照明市场更具吸引力和价格优势的选择。
而早在2012年2月10日——英国普莱思半导体(Plessey)也透露准备开始生产高亮度LED，制造中将采用剑桥大学所研究的一项备受关注的技术。Plessey计划在今年底前生产出白光效率为150流明/瓦的硅基氮化镓LED，其性能将可与传统的蓝宝石衬底或碳化硅衬底LED相媲美。
Plessey指出，剑桥大学研究的这项硅基氮化镓LED技术的主要优势在于采用了一种更薄的半导体层，可以解决芯片结构中硅衬底与活性氮化镓层之间的晶格不匹配问题。欧司朗和Azzurro通过使用相对较厚的缓冲材料，如多层氮化铝，已经解决了这个晶格不匹配问题，而剑桥研究团队能够使用一种更薄的半导体层来制造出高品质LED，这将降低总的生产成本。
2012年2月8日——德国欧司朗公司(OSRAM)光电半导体研发人员制造出高性能蓝白光LED 原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明质量和效率。目前，该款LED芯片已经进入试点阶段，在实际条件下接受测试。欧司朗公司表示首批硅晶圆LED芯片有望在两年内投放市场。该款新型高性能蓝白光LED的各项技术指标也可与传统蓝宝石基板相媲美，经测试蓝光UX:3芯片在3.15V电压下，照明亮度可达634mW，相当于58%的转化效率，是1平方毫米芯片350毫安电流下LED照明获得的较为出色的数值。
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