项目名称：

UV/白光组合闪光灯

申报单位：

晶能光电（江西）有限公司

综合介绍或申报理由：

UV/白光组合闪光灯采用了具有自主知识产权的硅衬底蓝光和硅衬底紫外芯片，创新的合二为一的封装结构节约了手机内部空间，搭配一个透镜使得手机闪光灯同时具有照明和验钞的功能。产品采用垂直LED芯片结构，热电分离，提高了出光效率，同时采用大功率陶瓷封装和贴膜技术，产品亮度高、拍摄效果佳、验钞适用范围广、可靠性好、合二为一的封装结构外形美观。

主要技术参数：

Coold White：

---Luminous：250lm@1000mA

---CCT：5500K±250K

UV：

---200mw@300mA

---Thermal Resistance:10K/W

---Viewing Angle:120

与国内外同类产品或同类技术的比较情况：

市面上有过增加UV验钞功能的手机产品，但其方案都是单独UVLED，同时在手机上增加开孔及lens，这样手机外观受很大影响，不美观。

晶能的FWUV产品可以实现，在对外观无任何影响的情况下，只通过更换成二合一LED即可为手机增加验钞功能。

经济评价分析：

使用该二合一LED方案手机闪光灯产品亮度高、拍摄效果佳、验钞适用范围广、可靠性好，性价比优势明显。

技术及工艺创新要点：

1.将白光与UV做成二合一产品。

2.白光与UV可以共用同一Fresnel透镜。

白光Flash：

UV功能：

用户证明：

获奖、专利情况：

*此二合一LED方案已经申请了国家专利，专利申请受理通知书见下图：

申报单位介绍：

晶能光电有限公司成立于2006年2月，是由金沙江创投、亚太资源、Mayfield、淡马锡等多家著名的投资机构共同投资，专门从事LED外延材料与芯片生产的高科技企业，目前注册资金12300万美元。 晶能光电拥有的硅衬底氮化镓基LED材料与器件技术是一项改写半导体照明历史的颠覆性新技术，国家863专家组对此项技术的评价是：“……打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。” 硅衬底LED技术是LED行业梦寐以求的技术路线。相较于另外两条LED照明技术路线，硅衬底技术优势明显，主要表现在：衬底材料成本低；器件散热性好、寿命长；封装工艺简单，易于实现自动化生产；可用于大尺寸外延，提高生产效率，降低综合成本。硅衬底LED技术已成为全球第三条蓝光LED技术路线，具有原创自主知识产权，围绕硅衬底LED技术已经申请或拥有国际国内专利330多项，已授权专利147项，其中国际专利47项。 晶能光电于全球率先实现硅衬底LED芯片的产业化，是全球硅衬底LED技术的主导者。2014年8月美国能源部《固态照明研究与发展制造蓝图报告》中明确写道：“晶能光电是硅衬底LED技术的最早实践者，并在2012年6月开始量产硅衬底氮化镓LED裸芯”。 目前，晶能光电生产的硅衬底LED芯片具有如下三大优势：（一）具有原创技术产权：产品可销往国际市场，不受国际专利限制；（二）具有优良的性能：器件散热好、产品抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高；（三）器件封装工艺简单：芯片为上下电极，单引线垂直结构，简化了封装工艺，节约了封装成本；（四）在方向光和光品质等方面具有明显的特点和优势。目前硅衬底LED芯片被广泛应用于LED户外照明、车用照明、手机闪光灯、电视背光等多个领域。 晶能光电在LED领域的自主创新能力，使其2010年至2012年连续三年被美国清洁能源机构评为“全球清洁技术100强企业”、2011年被权威的美国麻省理工大学《科技创业》杂志评为年度“全球最具创新力企业50强”、2012年硅大功率LED芯片量产被国际半导体联盟ISA评为“2012年度新闻事件”、2012年获得国家工信部第12届信息产业重大技术发明奖、2014年获得LED业奥斯卡奖——阿拉丁神灯奖十大产品奖等诸多荣誉和奖项。 围绕硅衬底LED技术，以晶能光电为龙头，已形成12家企业的产业集群，覆盖了外延-芯片-封装-应用的硅衬底LED全产业链。产业链上下游技术开发协同，并实现互相带动的市场效应。 晶能光电具有卓越的创业团队，引进美国和韩国等科学家十多人，其中三人入选中组部“千人计划”。团队承担了多项国家863计划、电子发展基金项目、以及国家重大产业化项目等重大项目。同时，晶能光电是科技部批复的国家硅基LED工程技术研发中心的产业化基地。 晶能光电是国家创新体系建设的受益者，得到了党和政府的大力支持，党和国家领导人习近平、张德江、王岐山、吴官正、李长春、贺国强、刘延东、孙春兰、万钢、徐绍史、苗圩、田力普等领导先后莅临公司视察指导，对晶能光电坚持走自主创新之路取得的成绩给予了充分肯定。

产品图片：