项目名称：

高光效LED芯片

申报单位：

华灿光电股份有限公司

综合介绍或申报理由：

本项目高光效芯片技术有特色，产品有优势，专家认为“整体达到国际先进、部分国际领先”。申请发明专利122项，其中授权美国专利2项、中国专利30多项。以高压、倒装和小间距显示屏为代表先进芯片制造技术已产业化，市场占有率超30%。本项目技术三年累计产出13.76亿元，利润3.40亿元，创汇2000万美元，技术在多家公司推广，产品应用于国内外几十家著名公司间接效益巨大，节能减排效益显著，社会效益重大。高光效LED芯片广泛应用于半导体照明和高铁站信息屏及央视春晚舞台显示等。

主要技术参数：

1、倒装结构解决蓝宝石散热不良导致芯片功率降低难题，采用布拉格反射镜提高出光率；垂直结构克服横向电流局部阻塞，改善载流子输运，提高光效；40x40 mil2倒装芯片@35A/cm2白光光效172.7 lm/W，超同期国际主流产品技术指标。

2、精制新型缓冲层减少晶格失配，降低外延层缺陷密度，减少非辐射复合中心；创新阻挡层减小电子溢流，改善载流子注入不平衡；创新的多量子阱有源区设计，使内量子效率从70%提升到90% 以上。 3、高压芯片白光光效169.14lm/W @35A/cm2优于国际主流产品，提高高压转换器效率，节约照明系统成本30%。开发AlN缓冲层PVD沉积技术，MOCVD外延生长时间大幅缩短，生产效率提升30%。

技术及工艺创新要点：

1、倒装结构与垂直结构GaN-LED芯片及其制备技术

2、发明类超晶格缓冲层、组分渐变电子阻挡层和多量子阱结构有源区及其制备技术，提高内量子效率。

3、发明侧向光子晶体和复合透明导电膜等界面修饰集成制备技术，减少光子界面损耗，提高外量子效率；优化制备图形化衬底和DBR反光层，芯片出光效率提升30%；研发的小间距显示屏专用芯片，小电流下一致性好，满足低亮、高灰度下的高品质显示要求。

4、创新高深宽比高压LED芯片设计，隔离槽刻蚀等关键制备技术取得突破。

实际运用案例和用户评价意见：

如图

获奖、专利情况：

发明新专利

申报单位介绍：

华灿光电股份有限公司的前身是武汉华灿光电有限公司，创立于2005年，2011年整体改制为股份有限公司。华灿光电是国内领先的LED（Light Emitting Diode，发光二极管）芯片供应商。 作为“新材料、新能源”领域的高新技术企业，我们致力于研发、生产、销售全色系产品为主的高质量LED外延材料与芯片。我们拥有国际领先的技术研发能力和成熟的生产工艺，基于客户的需求持续创新。目前，我们服务于全国的客户，产品已经成功地应用于国内多个重点项目。 公司成立八年以来，我们从基础设施建设和基础性研发起步，凝聚人才，引进设备，研发新品并量产，建设质量管理体系，开拓市场，和客户及供应商建立合作伙伴关系。我们脚踏实地，又积极进取，迅速确立了技术和品质领先的行业地位。 公司将持续扩大投资，继续引进国际先进设备，扩大生产规模，占领市场竞争的优势地位。

产品图片：