事件一：2011年6月7日，有消息称欧司朗在德国和美国控告韩国两大公司LG和三星，称这两家公司侵犯其LED技术专利权。要求法院颁令，禁止进口和销售被指侵权的LED产品，并要求两家公司赔偿其损失。6月10日三星LED向韩国首尔中央地区法院反诉欧司朗侵犯其LED专利技术。业内认为，三星此举是为了回应欧司朗公司对三星侵犯其LED技术专利的诉讼。

　　事件二：2011年4月5日，Cree与欧司朗宣布，两家已签署全面性的全球专利交叉许可协议。此项协议涵盖双方在蓝光LED芯片的技术、白光LED、荧光粉、封装、LED灯泡灯具以及LED照明控制系统等领域的专利。不久前Cree还与飞利浦、日亚化(Nichia)、丰田合成(Toyoda Gosei) 达成LED技术专利协议。有分析称，目前全球五大LED巨头已基本形成新的新专利交叉网。

　　事件三：2011年3月31日、4月8日国内著名照明企业惠州雷士与上海亚明先后与美国LED外延芯片大厂Cree签署战略协议。对此行动业界普遍的解读是两厂为化解海外产品销售中的专利风险。

　　事件四：2011年3月，国内主要照明企业浙江阳光照明(600261)在发布其2010年度财报的同时，还发布了一条消息，称将以每股5万日元的价格溢价收购一家日本LED公司LIREN的股权，总投资额为1600 万日元(约合人民币123.76 万元)，投资完成后阳光持有该公司30.188%股权，阳光收购这家企业看中的就是其研发能力及所持有的知识产权。由于此事的披露恰逢阳光照明高调宣布投入10亿元进军LED照明事业之际，突显了LED光源制造专利技术的重要性。

　　从以上一系列事件中可以看出，虽然自“337”调查以来，中国LED领域的专利纠纷并不多，但中国企业面临的专利风险，并非减少，而是处于酝酿之中。部分企业对于此种形势已开始警觉，并采取行动加以解决。如何制订适当的专利战略将事关中国LED产业的健康发展。

　　处于劣势的专利之争

　　美国学者理纳德·玻克维兹认为：“专利战略是一个保证你可以持续获得竞争优势的工具。”此言不虚，在LED产业中，专利权正是国际企业巨头从事市场竞争的主要工具之一，并发挥着越来越重要的作用。由于中国企业在LED专利布局上起步较晚，专利的申请时间、专利类型、授权比例等方面与国外企业均存在较大差距，特别是在高端芯片及部分应用领域上表现得尤为明显。近年来，我国半导体照明产业尽管取得了高速发展，但面临的专利纠纷也日益增多，国内半导体照明企业在这些纠纷中经常处于被动局面。

　　根据清华大学教授、863“半导照明工程”重大项目总体组专家罗毅介绍，从目前世界范围内GaN基LED产业的发展来看，日本、美国和欧洲的企业技术水平，尤其是高端产品的研发水平处于领先地位。其中比较著名的公司包括日本的Nichia、Toyoda Gosei，美国的Cree、Lumileds，德国的Osram等。这些公司拥有80%~90%的原创性发明专利，集中于材料生长、器件制作等方面，引领着LED技术发展的潮流，并占有多数市场份额。Nichia和Cree等国际巨头即使在中国大陆材料外延和芯片制作领域的专利申请上，依然拥有较多数量和优势。

　　至于国内LED专利申请状况，中科院苏州纳米所研究员、苏州纳晶光电董事长梁秉文指出，虽然国内LED企业近几年申请了很多LED专利，甚至是LED发明专利，但绝大部分不是原创，大部分是在国际LED巨头原创专利的基础上，做一些修补，其专利含金量也大打折扣。根据国家半导体照明工程研发及产业联盟的统计，近年来我国申请的LED专利数量虽然快速增长，但在专利类型、申请时间、授权比例等方面与先进国家和地区相比仍存在较大差距，在高端芯片领域尤为明显。截止2010年，全球共申请LED专利234874件，我国申请的LED专利数为21548件，约占十分之一。但我国在行业上游的外延和芯片领域专利数量少，在一些技术含量较高的下游应用领域，如背光照明、汽车照明等方面发明申请量也偏低。大陆企业申请的国际专利数量更少。从申请时间上看，上游产业普遍比国外晚10年左右，传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化硅衬底的时间差距最大，一般在15到20年。主流技术如外延接触层、外延覆盖层、外延量子阱技术、超晶格技术、氮化镓衬底技术、芯片微结构技术、钝化技术等相差10年左右。在下游产业中，虽然近两年的快速发展缩短了很大差距，但与国外发展情况相比，我国的原创型发明专利依然缺少，大多属于模仿型专利。